問題解決事例２

お客様の装置立上げ時の初期パーティクルを低減

半導体製造装置のイットリア溶射パーツの初期パーティクルの低減に長年苦慮されているお客様からご相談を頂きました。

拡大観察の結果より破砕しているような表層の脆弱な部分が剥離し問題を起こしているという仮説をたて、お客様と実装評価分析を実施したところ、表面の脆弱層が原因であることが判明しました。

原因究明と問題解決により、初期パーティクルが1/10に低減し、装置立上げ時間短縮に繋げる事が出来ました。

SEM表面観察結果

溶射表面に剥離しやすい破砕層が確認されます。これを除去する事でパーティクルを低減します。